| 型号：SI5475DC-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SMD，扁平引线 | 描述：MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 5.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 31 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐，15173547089，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
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